Acheter Infineon Technologies BSS225 MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

BSS225

MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89

Numéro d'article

BSS225

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

SIPMOS®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-243AA

Package d'appareil du fournisseur

PG-SOT89

Dissipation de puissance (maximum)

1W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

90mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

45 Ohm @ 90mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.3V @ 94µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

5.8nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

131pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 54540 PCS

Coordonnées