Acheter Infineon Technologies BSS192PE6327 MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89

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BSS192PE6327

MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89

Numéro d'article

BSS192PE6327

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

SIPMOS®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-243AA

Package d'appareil du fournisseur

PG-SOT89

Dissipation de puissance (maximum)

1W (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

250V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

190mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

12 Ohm @ 190mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 130µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

104pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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