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BSS131H6327XTSA1

MOSFET N-CH 240V 0.11A SOT23

Numéro d'article

BSS131H6327XTSA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

SIPMOS®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

PG-SOT23-3

Dissipation de puissance (maximum)

360mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

240V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

110mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

14 Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.8V @ 56µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

3.1nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

77pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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