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BSP320S E6433

BSP320S E6433

MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
Numéro d'article
BSP320S E6433
Fabricant/Marque
Série
SIPMOS®
Statut de la pièce
Discontinued at Digi-Key
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Package d'appareil du fournisseur
PG-SOT223-4
Dissipation de puissance (maximum)
1.8W (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2.9A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 20µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
340pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de BSP320S E6433
BSP320S E6433 Composants électroniques
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BSP320S E6433 Distributeur
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