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BSP149 E6327

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

Numéro d'article

BSP149 E6327

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

SIPMOS®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-261-4, TO-261AA

Package d'appareil du fournisseur

PG-SOT223-4

Dissipation de puissance (maximum)

1.8W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Depletion Mode

Tension drain-source (Vdss)

200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

660mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.8 Ohm @ 660mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 400µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

430pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

0V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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