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BSO201SPHXUMA1

MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC

Numéro d'article

BSO201SPHXUMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareil du fournisseur

PG-DSO-8

Dissipation de puissance (maximum)

1.6W (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

12A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 14.9A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

88nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

9600pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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