Acheter Infineon Technologies BSO080P03NS3EGXUMA1 MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

BSO080P03NS3EGXUMA1

MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO

Numéro d'article

BSO080P03NS3EGXUMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareil du fournisseur

PG-DSO-8

Dissipation de puissance (maximum)

1.6W (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

12A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 14.8A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.1V @ 150µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6750pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Max)

±25V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 16644 PCS

Coordonnées