Acheter Infineon Technologies BSC097N06NSTATMA1 DIFFERENTIATED MOSFETS

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BSC097N06NSTATMA1

DIFFERENTIATED MOSFETS

Numéro d'article

BSC097N06NSTATMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerTDFN

Package d'appareil du fournisseur

PG-TDSON-8

Dissipation de puissance (maximum)

3W (Ta), 43W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

13A (Ta), 48A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

9.7 mOhm @ 40A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.3V @ 14µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1075pF @ 30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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