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BSC072N08NS5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON

Numéro d'article

BSC072N08NS5ATMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerTDFN

Package d'appareil du fournisseur

PG-TDSON-8

Dissipation de puissance (maximum)

2.5W (Ta), 69W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

80V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

74A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

7.2 mOhm @ 37A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.8V @ 36µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2100pF @ 40V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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