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BSC027N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON
Numéro d'article
BSC027N06LS5ATMA1
Fabricant/Marque
Série
OptiMOS™
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-PowerTDFN
Package d'appareil du fournisseur
PG-TDSON-8
Dissipation de puissance (maximum)
83W (Tc)
Type FET
N-Channel
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
100A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
2.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.3V @ 49µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4400pF @ 30V
Vgs (Max)
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
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