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BSC026N08NS5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 23A 8TDSON

Numéro d'article

BSC026N08NS5ATMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerTDFN

Package d'appareil du fournisseur

PG-TDSON-8

Dissipation de puissance (maximum)

2.5W (Ta), 156W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

80V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

23A (Ta), 100A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2.6 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.8V @ 115µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

92nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 40V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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