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BSC010NE2LSIATMA1

MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8

Numéro d'article

BSC010NE2LSIATMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerTDFN

Package d'appareil du fournisseur

PG-TDSON-8

Dissipation de puissance (maximum)

2.5W (Ta), 96W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

25V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

38A (Ta), 100A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.05 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4200pF @ 12V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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