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AUIRS20161S

IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC

Numéro d'article

AUIRS20161S

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

Automotive, AEC-Q100

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Type d'entrée

Inverting

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareil du fournisseur

8-SOIC

Tension - Alimentation

4.4 V ~ 6.5 V

Type de canal

Single

Configuration pilotée

High-Side

Nombre de conducteurs

Type de porte

IGBT, N-Channel MOSFET

Tension logique - VIL, VIH

Courant - Sortie de crête (source, puits)

500mA, 500mA

Tension côté élevé - Max (Bootstrap)

150V

Temps de montée/descente (type)

200ns, 200ns

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