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AUIRL7736M2TR

MOSFET N-CH 40V 112A DIRECTFET

Numéro d'article

AUIRL7736M2TR

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

DirectFET™ Isometric M4

Package d'appareil du fournisseur

DIRECTFET™ M4

Dissipation de puissance (maximum)

2.5W (Ta), 63W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

179A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

3 mOhm @ 67A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 150µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

78nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5055pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±16V

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