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AUIRFSL6535

MOSFET NCH 300V 19A TO262

Numéro d'article

AUIRFSL6535

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

Automotive, AEC-Q101, HEXFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Package d'appareil du fournisseur

TO-262-3

Dissipation de puissance (maximum)

210W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

300V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

19A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

185 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 150µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

57nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2340pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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