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AUIRF7737L2TR

MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET

Numéro d'article

AUIRF7737L2TR

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

DirectFET™ Isometric L6

Package d'appareil du fournisseur

DIRECTFET L6

Dissipation de puissance (maximum)

3.3W (Ta), 83W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

31A (Ta), 156A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.9 mOhm @ 94A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

134nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5469pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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