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GP1M010A080N

MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Numéro d'article

GP1M010A080N

Fabricant/Marque

Global Power Technologies Group

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-3P-3, SC-65-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-3PN

Dissipation de puissance (maximum)

312W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

900V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

10A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.05 Ohm @ 5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2336pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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