Acheter Diodes Incorporated DMT6012LSS-13 MOSFET N-CH 60V8SOIC

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DMT6012LSS-13

MOSFET N-CH 60V8SOIC

Numéro d'article

DMT6012LSS-13

Fabricant/Marque

Diodes Incorporated

Statut de la pièce

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareil du fournisseur

8-SO

Dissipation de puissance (maximum)

1.2W (Ta)

Type FET

N-Channel

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

10.4A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

22.2nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1522pF @ 30V

Vgs (Max)

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

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