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DMP1022UFDE-7

MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN

Numéro d'article

DMP1022UFDE-7

Fabricant/Marque

Diodes Incorporated

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-UDFN Exposed Pad

Package d'appareil du fournisseur

U-DFN2020-6 (Type E)

Dissipation de puissance (maximum)

660mW (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

12V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

9.1A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

42.6nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2953pF @ 4V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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