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DMP1011UCB9-7

DMP1011UCB9-7

MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Numéro d'article
DMP1011UCB9-7
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
9-UFBGA, WLBGA
Package d'appareil du fournisseur
U-WLB1515-9
Dissipation de puissance (maximum)
890mW (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
8V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
10A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10.5nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1060pF @ 4V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)
-6V
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Coordonnées
Mots-clés de DMP1011UCB9-7
DMP1011UCB9-7 Composants électroniques
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