Acheter Diodes Incorporated DMN62D1LFD-7 MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

DataSheets

DMN62D1LFD-7

MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3

Numéro d'article

DMN62D1LFD-7

Fabricant/Marque

Diodes Incorporated

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

3-UDFN

Package d'appareil du fournisseur

X1-DFN1212-3

Dissipation de puissance (maximum)

500mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

400mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 100mA, 4V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

0.55nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

36pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4V

Vgs (Max)

±20V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 15863 PCS

Coordonnées

Produits connexes

DMN6013LFG-13

MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8