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DMN2005UPS-13

MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060

Numéro d'article

DMN2005UPS-13

Fabricant/Marque

Diodes Incorporated

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerTDFN

Package d'appareil du fournisseur

PowerDI5060-8

Dissipation de puissance (maximum)

1.5W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

20A (Ta), 100A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

142nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5337pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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