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DMN1053UCP4-7
MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808
Numéro d'article
DMN1053UCP4-7
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
4-XFBGA, CSPBGA
Package d'appareil du fournisseur
X3-DSN0808-4
Dissipation de puissance (maximum)
1.34W
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
12V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2.7A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
908pF @ 6V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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