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DMN1019UVT-7

MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Numéro d'article

DMN1019UVT-7

Fabricant/Marque

Diodes Incorporated

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Package d'appareil du fournisseur

TSOT-26

Dissipation de puissance (maximum)

1.73W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

12V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

10.7A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 9.7A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

50.4nC @ 8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2588pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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