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DMN1017UCP3-7
MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010
Numéro d'article
DMN1017UCP3-7
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
3-XDFN
Package d'appareil du fournisseur
X3-DSN1010-3
Dissipation de puissance (maximum)
1.47W
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
12V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
7.5A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 5A, 3.3V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 3.3V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1503pF @ 6V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 3.3V
Vgs (Max)
±8V
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