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DMG7N65SJ3
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
Numéro d'article
DMG7N65SJ3
Fabricant/Marque
Série
Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-251-3, IPak, Short Leads
Package d'appareil du fournisseur
TO-251
Dissipation de puissance (maximum)
125W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
650V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
5.5A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
886pF @ 50V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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