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DMG4N60SJ3

MOSFET NCH 600V 3A TO251

Numéro d'article

DMG4N60SJ3

Fabricant/Marque

Diodes Incorporated

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Package d'appareil du fournisseur

TO-251

Dissipation de puissance (maximum)

41W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2.5 Ohm @ 2A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

14.3nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

532pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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