Acheter Diodes Incorporated DMG3N60SJ3 MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

DMG3N60SJ3

MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Numéro d'article

DMG3N60SJ3

Fabricant/Marque

Diodes Incorporated

Série

Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-251-3, IPak, Short Leads

Package d'appareil du fournisseur

TO-251

Dissipation de puissance (maximum)

41W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

650V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2.8A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

3.5 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

12.6nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

354pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 14788 PCS

Coordonnées

Produits connexes

DMG301NU-13

MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23