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CTLDM8002A-M621H TR

CTLDM8002A-M621H TR

MOSFET N-CH 50V DFN6
Numéro d'article
CTLDM8002A-M621H TR
Fabricant/Marque
Statut de la pièce
Last Time Buy
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
6-XFDFN Exposed Pad
Package d'appareil du fournisseur
TLM621H
Dissipation de puissance (maximum)
1.6W (Ta)
Type FET
P-Channel
Tension drain-source (Vdss)
50V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
280mA (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
2.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.72nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
70pF @ 25V
Vgs (Max)
20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
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Mots-clés de CTLDM8002A-M621H TR
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