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CMUDM8001 TR

CMUDM8001 TR

MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT523
Numéro d'article
CMUDM8001 TR
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
SOT-523
Package d'appareil du fournisseur
SOT-523
Dissipation de puissance (maximum)
250mW (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
100mA (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.66nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
45pF @ 3V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4V
Vgs (Max)
10V
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Coordonnées
Mots-clés de CMUDM8001 TR
CMUDM8001 TR Composants électroniques
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