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CMLDM8120G TR

CMLDM8120G TR

MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
Numéro d'article
CMLDM8120G TR
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
SOT-563, SOT-666
Package d'appareil du fournisseur
SOT-563
Dissipation de puissance (maximum)
350mW (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
860mA (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3.56nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 16V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
8V
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Coordonnées
Mots-clés de CMLDM8120G TR
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