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AOWF15S65

AOWF15S65

MOSFET N-CH 650V 15A TO262F
Numéro d'article
AOWF15S65
Série
aMOS™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Package d'appareil du fournisseur
-
Dissipation de puissance (maximum)
28W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
650V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
15A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
290 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17.2nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
841pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Mots-clés de AOWF15S65
AOWF15S65 Composants électroniques
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