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AOTF4T60P

AOTF4T60P

MOSFET N-CH
Numéro d'article
AOTF4T60P
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3 Full Pack
Package d'appareil du fournisseur
TO-220-3F
Dissipation de puissance (maximum)
35W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
4A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
2.1 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
522pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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En stock 51315 PCS
Coordonnées
Mots-clés de AOTF4T60P
AOTF4T60P Composants électroniques
AOTF4T60P Ventes
AOTF4T60P Fournisseur
AOTF4T60P Distributeur
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