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AOTF20C60P

AOTF20C60P

MOSFET N-CH
Numéro d'article
AOTF20C60P
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3 Full Pack
Package d'appareil du fournisseur
TO-220-3F
Dissipation de puissance (maximum)
50W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
20A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3607pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Coordonnées
Mots-clés de AOTF20C60P
AOTF20C60P Composants électroniques
AOTF20C60P Ventes
AOTF20C60P Fournisseur
AOTF20C60P Distributeur
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