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AON6758_101

MOSFET N-CH 30V

Numéro d'article

AON6758_101

Fabricant/Marque

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Série

AlphaMOS

Statut de la pièce

Active

Emballage

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-VDFN Exposed Pad

Package d'appareil du fournisseur

8-DFN (5x6)

Dissipation de puissance (maximum)

4.1W (Ta), 41W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Schottky Diode (Body)

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

27A (Ta), 32A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

3.6 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1975pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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