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AON4703

AON4703

MOSFET P-CH 20V 3.4A 8DFN
Numéro d'article
AON4703
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SMD, Flat Lead
Package d'appareil du fournisseur
8-DFN (3x2)
Dissipation de puissance (maximum)
1.7W (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3.4A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.1nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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AON4703 Composants électroniques
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