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AOB266L

MOSFET N-CH 60V 18A TO263

Numéro d'article

AOB266L

Fabricant/Marque

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

TO-263 (D²Pak)

Dissipation de puissance (maximum)

2.1W (Ta), 268W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

18A (Ta), 140A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

3.2 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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