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AO4485L

AO4485L

MOSFET P-CH 40V 8SOIC
Numéro d'article
AO4485L
Série
-
Statut de la pièce
Last Time Buy
Emballage
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareil du fournisseur
8-SOIC
Dissipation de puissance (maximum)
1.7W (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
40V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
10A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de AO4485L
AO4485L Composants électroniques
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