VBsemi (Wei Bi)
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SI2329DS-T1-GE3-VB
SI2329DS-T1-GE3-VB
Numéro d'article
SI2329DS-T1-GE3-VB
Catégorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricant/Marque
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulation
SOT-23
Emballage
taping
Nombre de paquets
3000
Description
P-channel, -20V, -4A, RDS(ON), 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V); -0.81Vth(V); SOT23
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