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onsemi (Ansemi)

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NCV1413BDR2G

Darlington Transistor Array, High Voltage, High Current

Numéro d'article

NCV1413BDR2G

Catégorie

Triode/MOS Tube/Transistor > Darlington Transistor Array

Fabricant/Marque

onsemi (Ansemi)

Encapsulation

SOIC-16

Emballage

taping

Nombre de paquets

2500

Description

The seven NPN Darlington junction transistors in these arrays are ideal for driving lamps, relays or printing hammers in a variety of industrial and consumer applications. Its high breakdown voltage and internal suppression diodes ensure that inductive loads will not be a problem. The peak inrush current of up to 500 mA enables it to drive incandescent lamps. The MC1413, B with 2.7 kΩ series input resistors is suitable for systems using 5.0 V TTL or CMOS logic.

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