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AGM-Semi (core control source)

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AGM405AP2

Numéro d'article

AGM405AP2

Catégorie

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricant/Marque

AGM-Semi (core control source)

Encapsulation

DFN3x3

Emballage

taping

Nombre de paquets

5000

Description

Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 46A Power (Pd): 28W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.4mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 13.5nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 0.842nF@20V , Vds=40V Id=46A Rds=4.4mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3encapsulation;

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