AGM-Semi (core control source)
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AGM30P85D
AGM30P85D
Numéro d'article
AGM30P85D
Catégorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricant/Marque
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
TO-252
Emballage
taping
Nombre de paquets
2500
Description
Type: P-channel Drain-source voltage (Vdss): 30V Continuous Drain current (Id): 120A Power (Pd): 62W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 4.9mΩ@10V, 20A Threshold voltage ( Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 40nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 2.35pF@15V, Vds=30v Id=120A Rds=4.9mΩ, operating temperature : -55℃~+150℃@(Tj)
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