Diode/Bridge Rectifier
Numéro d'article
VISHAY (Vishay)
Fabricants
Description
91772 PCS
En stock
Numéro d'article
Taiwan Semiconductor
Fabricants
Description
63406 PCS
En stock
Numéro d'article
BORN (Born Semiconductor)
Fabricants
Description
65833 PCS
En stock
Numéro d'article
LRC (Leshan Radio)
Fabricants
200V 200MA
Description
68069 PCS
En stock
Numéro d'article
Sheier (Leshan Hill)
Fabricants
Description
61358 PCS
En stock
Numéro d'article
di one
Fabricants
100V 5A VF=0.85V @ 5A
Description
84741 PCS
En stock
Numéro d'article
onsemi (Ansemi)
Fabricants
This Schottky rectifier uses the Schottky barrier principle and uses platinum barrier metal.
Description
71537 PCS
En stock
Numéro d'article
onsemi (Ansemi)
Fabricants
This high voltage switching diode is suitable for high voltage, high speed switching applications. This dual diode device contains two electrically isolated high voltage switching diodes in a SOT-23 surface mount encapsulation.
Description
81408 PCS
En stock
Numéro d'article
VISHAY (Vishay)
Fabricants
Description
65839 PCS
En stock
Numéro d'article
di one
Fabricants
100V,2A,VF=0.85V@2A
Description
70080 PCS
En stock
Numéro d'article
LGE (Lu Guang)
Fabricants
Diode configuration: 1 pair of common cathode DC reverse withstand voltage (Vr): 400V Average rectified current (Io): 20A Forward voltage drop (Vf): 1.15V@20A Reverse current (Ir): 10uA@400V Reverse recovery Time (trr): 25ns Operating temperature: -55℃~+175℃@(Tj)
Description
85912 PCS
En stock
