Diode/Bridge Rectifier
Numéro d'article
FUXINSEMI (Fuxin Senmei)
Fabricants
DC reverse withstand voltage (Vr): 100V Average rectified current (Io): 10A Forward voltage drop (Vf): 700mV@10A Reverse current (Ir): 200uA@100V
Description
85174 PCS
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Numéro d'article
Jilin Huawei
Fabricants
Description
60923 PCS
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Numéro d'article
Jingyang Electronics
Fabricants
IO0.2(A)/VR30(V)/IFSM0.6(A)/VF(MAX@25℃)1(V)@IF0.1(A)/IR(25℃)@VR2(uA)/CJ10 (pF)/Trr5(ns)
Description
68752 PCS
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Numéro d'article
VISHAY (Vishay)
Fabricants
Description
61563 PCS
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Numéro d'article
Taiwan Semiconductor
Fabricants
Description
96033 PCS
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Numéro d'article
JUXING
Fabricants
IF(A) 1 VRRM(V) 400 IFSM(A) 30 VFM@IF(V) 1.3 IRM@VRRM(uA) 5 trr(ns) 150
Description
65748 PCS
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Numéro d'article
ST (STMicroelectronics)
Fabricants
-
Description
70115 PCS
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Numéro d'article
Crystal Conductor Microelectronics
Fabricants
Description
75640 PCS
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Numéro d'article
onsemi (Ansemi)
Fabricants
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. Advanced geometries employ oxide passivation and epitaxial structures with metal-covered contacts. The Schottky diode is suitable for low-voltage, high-frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system.
Description
70007 PCS
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Numéro d'article
SMC (Sanders)
Fabricants
VR=100V IO=5A VF=0.85V@5A
Description
54848 PCS
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Numéro d'article
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricants
Description
82621 PCS
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Numéro d'article
onsemi (Ansemi)
Fabricants
High conduction ultrafast diodes from Process 1R. See MMBD1201-1205 for characteristics.
Description
53579 PCS
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