Diode/Bridge Rectifier
Numéro d'article
GD (solid technetium)
Fabricants
Description
82367 PCS
En stock
Numéro d'article
DIODES (US and Taiwan)
Fabricants
Description
84984 PCS
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Numéro d'article
Crystal Conductor Microelectronics
Fabricants
Description
81091 PCS
En stock
Numéro d'article
ST (STMicroelectronics)
Fabricants
150V, 15A, common cathode
Description
59447 PCS
En stock
Numéro d'article
ST (STMicroelectronics)
Fabricants
Description
62022 PCS
En stock
Numéro d'article
MCC (Meiweike)
Fabricants
Description
82100 PCS
En stock
Numéro d'article
PINGWEI (Pingwei)
Fabricants
Description
64159 PCS
En stock
Numéro d'article
DIODES (US and Taiwan)
Fabricants
Description
62242 PCS
En stock
Numéro d'article
DIODES (US and Taiwan)
Fabricants
VR=30V IO=0.5A [email protected]
Description
63808 PCS
En stock
Numéro d'article
DIODES (US and Taiwan)
Fabricants
VR=30V IO=0.5A [email protected]
Description
66202 PCS
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Numéro d'article
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricants
Description
51533 PCS
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Numéro d'article
YFW (You Feng Wei)
Fabricants
I(AV) 40 VRRM(V) 100 IFsM(A) 320 VFM(V) 0.6 VFMI(AV)(A) 40 IRM@VRRM(μA) 14
Description
88345 PCS
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Numéro d'article
onsemi (Ansemi)
Fabricants
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. The Schottky diode's advanced geometry employs oxide passivation and epitaxy with metal-covered contacts. The device is suitable for low-voltage, high-frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system.
Description
86000 PCS
En stock
