Diode/Bridge Rectifier
Numéro d'article
GeneSiC Semiconductor
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66668 PCS
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Numéro d'article
Infineon (Infineon)
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57913 PCS
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Numéro d'article
DIOTEC (Diotec)
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97487 PCS
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Numéro d'article
Infineon (Infineon)
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98717 PCS
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Numéro d'article
MICROCHIP (US Microchip)
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58721 PCS
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Numéro d'article
MICROCHIP (US Microchip)
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78503 PCS
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onsemi (Ansemi)
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81318 PCS
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Numéro d'article
onsemi (Ansemi)
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The Schottky diode uses the Schottky diode barrier principle and uses a metal-silicon Power rectifier. It has an epitaxial structure with oxide passivation and metal-covered contacts. This is suitable for low-voltage high-frequency switching power supply, freewheeling diode and polarity protection diode.
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62683 PCS
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Numéro d'article
Taiwan Semiconductor
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82786 PCS
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Numéro d'article
VISHAY (Vishay)
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51956 PCS
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Numéro d'article
VISHAY (Vishay)
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77247 PCS
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Numéro d'article
VISHAY (Vishay)
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98697 PCS
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