Diode/Bridge Rectifier
Numéro d'article
Infineon (Infineon)
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68625 PCS
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Numéro d'article
MICROCHIP (US Microchip)
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79374 PCS
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Numéro d'article
MICROCHIP (US Microchip)
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92064 PCS
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Numéro d'article
Infineon (Infineon)
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93541 PCS
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Numéro d'article
DIODES (US and Taiwan)
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2 independent Schottky diode arrays VR=30V IO=0.1A [email protected]
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91913 PCS
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Numéro d'article
DIOTEC (Diotec)
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99578 PCS
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Numéro d'article
Infineon (Infineon)
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54293 PCS
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Numéro d'article
MICROCHIP (US Microchip)
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77437 PCS
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Numéro d'article
onsemi (Ansemi)
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99632 PCS
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Numéro d'article
onsemi (Ansemi)
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Silicon carbide (SiC) Schottky diode uses a new technology that can provide excellent switching performance and has higher reliability than silicon. Silicon carbide's no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance make it a next-generation power semiconductor product. System benefits include highest energy efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. Llew
Description
87056 PCS
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Numéro d'article
onsemi (Ansemi)
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50462 PCS
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Numéro d'article
ROHM (Rohm)
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92553 PCS
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Numéro d'article
ROHM (Rohm)
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93932 PCS
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Numéro d'article
Taiwan Semiconductor
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93679 PCS
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