Diode/Bridge Rectifier
Numéro d'article
GOOD-ARK (Solid Technetium)
Fabricants
Description
86197 PCS
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Numéro d'article
BASiC (basic)
Fabricants
Strong anti-surge current capability, zero reverse recovery, Silicon carbideSchottky diode
Description
79132 PCS
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Numéro d'article
BASiC (basic)
Fabricants
Strong anti-surge current capability, zero reverse recovery, Silicon carbideSchottky diode
Description
78415 PCS
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Numéro d'article
ST (STMicroelectronics)
Fabricants
60V,1A,VF=0.5V@1A
Description
55973 PCS
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Numéro d'article
VISHAY (Vishay)
Fabricants
Description
65381 PCS
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Numéro d'article
PAKER (Parke Micro)
Fabricants
Description
92293 PCS
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Numéro d'article
JSMSEMI (Jiesheng Micro)
Fabricants
Description
96515 PCS
En stock
Numéro d'article
JSMSEMI (Jiesheng Micro)
Fabricants
Description
53278 PCS
En stock
Numéro d'article
VISHAY (Vishay)
Fabricants
Description
51320 PCS
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Numéro d'article
DIODES (US and Taiwan)
Fabricants
Description
65385 PCS
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Numéro d'article
SUNMATE (Sunmate)
Fabricants
DC reverse withstand voltage (Vr): 200V Average rectified current (Io): 2A Forward voltage drop (Vf): 1.0V@2A Reverse current (Ir): 10uA@200V Reverse recovery time (trr): 50ns
Description
50942 PCS
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Numéro d'article
baocheng (Baocheng)
Fabricants
Description
94274 PCS
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Numéro d'article
DIODES (US and Taiwan)
Fabricants
Description
93644 PCS
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Numéro d'article
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Fabricants
Diode configuration: 1 pair of common anode Power: 225mW DC reverse withstand voltage (Vr): 250V Average rectified current (Io): 200mA Forward voltage drop (Vf): 1.25V@200mA Reverse current (Ir): 100nA@200V Reverse recovery time (trr): 50ns Operating temperature: +150℃@(Tj)
Description
98434 PCS
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Numéro d'article
HUXN (Huixin)
Fabricants
DC reverse withstand voltage (Vr): 100V Silicon carbide Silicon carbide average rectified current (Io): 5A Forward voltage drop (Vf): 850mV@5A Silicon carbide reverse current (Ir): 500μA@40V Forward surge current (Ifsm): 120A
Description
65829 PCS
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Numéro d'article
HUXN (Huixin)
Fabricants
DC reverse withstand voltage (Vr): 100V Silicon carbide Silicon carbide average rectified current (Io): 5A Forward voltage drop (Vf): 850mV@5A Silicon carbide reverse current (Ir): 500μA@40V Forward surge current (Ifsm): 120A
Description
66855 PCS
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Numéro d'article
UMW (Friends Taiwan Semiconductor)
Fabricants
Description
50258 PCS
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Numéro d'article
DIODES (US and Taiwan)
Fabricants
Description
90496 PCS
En stock